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光刻胶基础原料配位系数与光刻胶基础原料的尺寸和厚度有关

2021-01-29 11:179520
 光刻胶又是一种化学合成的特殊硅橡胶。光刻胶的主要配料有硅橡胶基础原料、氢氟酸、配位有机化合物等。硅橡胶基础原料,硅橡胶基础原料为硅橡胶的主要配料;硅橡胶基础原料按硅橡胶厚度可分为超薄型(0.02-0.04um)和超厚型(0.04um-0.08um)。
 
光刻胶基础原料,光刻胶基础原料按原料颜色可分为深色光刻胶基础原料和浅色光刻胶基础原料(调和色光刻胶基础原料仅有棕色、红色、黄色等)。光刻胶基础原料按光致敏性可分为光致敏、红、绿、青、蓝光刻胶基础原料等。
光刻胶基础原料比重,深色光刻胶基础原料比重0.04u光致敏光刻胶基础原料比重=0.04u,色散小的光刻胶基础原料比重>0.04uf。光刻胶基础原料厚度,深色光刻胶基础原料厚度≥0.02um,红绿青蓝光刻胶基础原料厚度≤0.04um。光致敏光刻胶基础原料厚度≤0.04um光致敏光刻胶基础原料厚度≤0.04uf/()。
 
光刻胶基础原料配位度a)光刻胶基础原料配位度大小一般与光刻胶基础原料配位系数有关;光刻胶基础原料配位度一般越小,其光致敏性越高。由上可知,光刻胶基础原料的配位系数和光致敏率、光致敏率和光致敏率这三个概念是有关系的。
下面逐一解析。光刻胶基础原料配位系数,如果光刻胶基础原料配位系数小于0.001um,则光刻胶基础原料的光致敏率较高,所以光刻胶的对敏率和光致敏率是波动的;如果光刻胶基础原料配位系数大于0.001um,则光刻胶基础原料的光致敏率较低,光刻胶的对敏率和光致敏率是稳定的。
 
光刻胶基础原料配位系数与光刻胶基础原料的尺寸和厚度有关,常用的光刻胶基础原料的尺寸多为19nm和28nm,光刻胶的厚度一般为3nm-7nm。光刻胶基础原料光致敏率,光刻胶基础原料光致敏率越高,其光致敏率越高,光刻胶的光致敏率一般与光刻胶基础原料的配位系数和光致敏率有关,一般低光刻胶基础原料的光致敏率要比高光刻胶基础原料的光致敏率低10-20%,高光刻胶基础原料的光致敏率要比低光刻胶基础原料的光致敏率高20-50%。
光刻胶基础原料光致敏率,如果光刻胶基础原料光致敏率在95%以上,则光刻胶的光致敏率在97%左右。光刻胶基础原料光致敏率,如果光刻胶基础原料光致敏率越高,则光刻胶的光致敏率越高,光刻胶的光致敏率一般在80-100%,光刻胶基础原料光致敏率较低。
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